Cross gain modulation in broad area vertical cavity semiconductor amplifier

Marino F., Furfaro L., Balle S.
Applied Physics Letters 86, 151116 (1-3) (2005)

We demonstrate that broad-area vertical-cavity semiconductor optical amplifiers allow for wavelength conversion at 2.5 Gb/ s via cross-gain modulation sXGMd. XGM is reached with a saturation beam of only 1.5 mW over an optical bandwidth of 0.7 nm s215 GHzd. Depending on the wavelengths of the injected fields, inverted or noninverted output can be obtained.


Aquesta web utilitza cookies per a la recollida de dades amb un propòsit estadístic. Si continues navegant, vol dir que acceptes la instal·lació de la cookie.


Més informació D'accord